索尼集团与IBM和东芝共同拓展高性能半导体制造联盟

    东京,2007年10月18日——索尼公司和索尼电脑娱乐公司(索尼集团)于今日宣布了两份独立签署的最新合作协议,目的是增强索尼集团的PlayStation业务规模。

    1、IBM和索尼已签署协议,欲将双方之间现有的生产合作关系拓展到45纳米绝缘硅(SOI)业务中,以批量生产Cell宽带引擎(Cell/B.E)处理器。两家公司将通过合作优化45纳米绝缘硅的生产能力,为索尼集团的PLAYSTATION®3生产更低能耗、更低成本的处理器。通过将纽约East Fishkill生产工厂现有的65纳米制程改进为45纳米,IBM将领导Cell/B.E.组件的发展。

    2、作为另外一份独立协议的内容,索尼集团将拓展与东芝之间的联盟关系,以通过45纳米批量处理技术来生产高性能LSI(大规模集成电路)。通过成立合资公司来充分利用双方的知识和经验,索尼集团和东芝将通过以45纳米制程取代现有的65纳米制程,以强化游戏和数字媒体应用在能耗和成本方面的竞争优势。

    通过进一步强化与相关伙伴企业的合作关系,索尼集团将改进PlayStation产品所使用的高性能半导体组件,并降低其成本。这些增强会进一步提高PLAYSTATION®3系统及索尼PlayStation业务总体的领先能力。

    “Cell宽带引擎向45纳米SOI技术的过渡,是提升全球一流的处理器成本和能耗特征,同时保持芯片上半导体组件性能的一个关键步骤。”IBM全球工程解决方案部总经理Adalio Sanchez讲到。“IBM团队非常高兴能够在East Fishkill 300毫米生产工厂率先生产45纳米Cell/B.E.处理器,并通过显著降低其能耗和大小来进一步促进这种功能的广泛应用。”

   “游戏业务是索尼集团半导体业务的重点领域之一,自今年初以来我们一直将精力集中在这一方面。同时,我们对先进的45纳米制程技术和其他更先进技术的生产投资计划做了谨慎评估。我们相信,为利用先进的制程技术来为PlayStation系统生产高性能半导体组件而与IBM和东芝建立的生产联盟,会进一步促进PlayStation高性能半导体业务的发展。索尼集团将与IBM和东芝合作,通过最大程度地发挥其多年来在高性能半导体设计能力方面掌握的知识,拓展PlayStation高性能半导体业务。”索尼集团执行副总裁兼半导体与组件部官员Yutaka Nakagawa讲到。

   “我对索尼分别与东芝和IBM建立的合作关系感到非常高兴,这些合作旨在利用45纳米制程来降低LSI的大小和能耗,使我们能够进一步促进PlayStation系统中半导体组件的改进和成本削减。先进的半导体是PlayStation平台的核心组件。通过这些增强合作关系的支持,SCE致力于进一步开拓PlayStation业务,提供全新、创新的互动娱乐体验。”索尼电脑娱乐公司总裁兼集团首席执行官Kaz Hirai讲到。

   “这种全新的合作关系将进一步强化我们在游戏控制台高性能半导体组件方面的生产效率,加快向新一代制造技术的及时过渡。在PLAYSTATION®3 RSX图形引擎等设备的强大需求推动下,游戏控制台高性能半导体组件的市场增长有望会继续,作为我们战略业务领域LSI系统的重要一部分,我们将不断推进高性能半导体的发展。我们很高兴能够通过这一全新框架来继续为索尼集团的PlayStation业务提供支持,我们的目的是,尽快地为新一代制造技术稳定提供高性能半导体组件,促进市场拓展。”东芝半导体公司总裁兼首席执行官、东芝公司企业高级副总裁Shozo Saito讲到。


(本文译自英文原稿,仅供参考)